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三星东芝协力支持新一代高性能NAND闪存技术

发布时间:2019-09-22 22:24编辑:七娃阅读(

      近期三星(Samsung)和东芝(Toshiba)共同宣布,两家公司将协力支持新一代高性能NAND闪存技术:拥有400Mbps接口的DDR NAND闪存,即toggle DDR 2.0规范。

      最初的SDR NAND闪存架构接口速度仅为40Mbps,现行的DDR 1.0标准将接口带宽提高到了133Mbps。三星和东芝推动的toggle DDR 2.0规范则进一步提升到400Mbps,是DDR 1.0的3倍,普通SDR NAND闪存的10倍。

      高速闪存接口的优势不言而喻,未来将主要用于移动设备、消费电子产品以及固态硬盘等领域,大大提升存储性能。三星和东芝表示,上个月他们已经开始通过JEDEC固态技术协会推动toggle DDR 2.0技术标准化。两家公司将支持这一规范成为行业标准,被业界广泛接受使用。